FT838D價格,FT838D現(xiàn)貨

基本參數(shù)：

輸入電壓范圍：90~264V

輸出電壓/電流：5V/2.1A

尺寸：43*40mm

典型效率：74%

EMI：pass

空載待機功耗：<150mW

zui大輸出紋波：<200mVp-p

產(chǎn)品優(yōu)勢

1、滿足能源之星2.0和5能效；

2、批量輸出電壓精度電流精度±5%

以內(nèi)；

3、保護功能齊，可靠性好；

4、滿足EN55022 ClassB EMI要求；

特點

無需光耦及TL431反饋
節(jié)能模式：脈沖頻率調(diào)制控制模式(PFM)
內(nèi)置抖頻功能來改善 EMI性能
每個開關(guān)周期的電流限制
VCC過壓保護(OVP)
欠壓鎖定(UVLO)
輸出短路保護
內(nèi)置輸出線損補償
輸入線電壓補償以提高輸出電流精度

芯片版本與管腳定義

表1：FT838D/FT838R 芯片功能

芯片本版 線損補償比例
FT838D0 0%
FT838D1 3%
FT838D2 6%
FT838D3 9%
FT838R N/A
FT838D內(nèi)置輸出線損補償，用戶可根據(jù)實際輸出導線情況選擇合適的芯片版本。FT838R主要應(yīng)用于LED驅(qū)動應(yīng)用，故無線損補償。

管腳號 管腳名稱 I/O 注解
1 FB I 輸出電壓反饋端
2 GND I 芯片的大地
3 CS I 初電流檢測端
4 OUT O NPN開關(guān)管的基極驅(qū)動端
5 VCC I 供電端

內(nèi)部工作框圖

恒壓控制
原邊反饋的控制方法可以在無需副邊電壓與電流檢測的情況下實現(xiàn)精確的恒壓/恒流控制。圖 2是典型應(yīng)用線路。圖3是芯片內(nèi)部框圖，圖4是些主要的波。副邊輸出狀態(tài)是在功率三極管關(guān)斷時從原邊的輔助繞組得到的。使用*的采樣方法來檢測輸出繞組電壓(Vs)和副邊二極管的放電時間(Tdis)。 采樣后的電壓與內(nèi)部的參考電壓(VFB)比較后再通過調(diào)制誤差放大器的輸出來確定開關(guān)管的關(guān)斷時間。從而實現(xiàn)了精確的輸出電壓調(diào)節(jié)。

恒流控制
圖4所示，輸出電流Io在斷續(xù)模式(DCM)的反激拓撲中可以通過方程(1) 來表達。

降頻工作模式
原邊反饋控制芯片在恒壓工作模式下時，工作頻率隨著負載電流的減小而減小，負載電流減小到零時，頻率降到zui低。有了這種控制模式，電源控制芯片能輕松滿足zui嚴格的功率轉(zhuǎn)換效率的要求。同時為了改善輸出瞬態(tài)相應(yīng)特性，在頻率隨負載電流減小的同時降低原邊峰值電流，避免空載時輸出頻率過低，達到提高輸出瞬態(tài)相應(yīng)速度的目的。

頻率抖動
這款原邊反饋控制芯片集成了內(nèi)部的抖頻功能來改善 EMI的性能。

輸出電壓電流特性
電池充電器般會設(shè)計兩種工作模式，恒壓充電與恒流充電。圖5所示為充電器基本的充電特性。當電池電壓很低時，充電器工作在恒流充電狀態(tài)。這是電流充電的主要方式。當電池電壓達到它的zui終電壓時，電流便逐漸停止。充電器便進入恒壓充電模式。zui終，充電電流逐漸減小直到零。

啟動電路

當電源啟動時，如圖6所示，輸入電壓Vbus通過啟動電阻R1對電容C1進行充電。當電容的電壓(VCC)達到芯片啟動電壓(VCC-ON)時，原邊反饋控制芯片開始啟動。

VCC欠壓鎖定

這款原邊反饋控制芯片的開啟和關(guān)斷門檻固定在17.67V和6.6V。在啟動時，VCC電容必須通過啟動電阻R1充電至17.6V從而來啟動控制芯片。在能量不能從輔助繞組中得到時，VCC電容將直對控制芯片供電，直到輔助繞組開始對VCC供應(yīng)大于6.6 V的電壓。如果VCC電壓低于6.6V，芯片將進入VCC欠壓鎖定狀態(tài)，關(guān)閉芯片內(nèi)部的些電路，此時，Vbus通過R1給電容C1充電，直到VCC電壓達到17.6 V，芯片再次啟動，打開所有的內(nèi)部電路。這個欠壓鎖定的滯環(huán)將保證在啟動時VCC電容足夠?qū)刂菩酒╇姟?br>輸入欠壓保護
這款原邊反饋控制芯片有個內(nèi)置的輸入欠壓保護功能。如圖9所示,當功率三極管Q1導通時

輸出線損補償
控制芯片內(nèi)置個線端補償功能來補償輸出導線的電壓損失。不同的輸出線規(guī)格和長度將會導致不同的線端輸出電壓。

LEB時間
每次功率三極管Q1開通時，由吸收二極管D5的反向恢復和功率三極管Q1的寄生電容以及變壓器原邊繞組的匝間分布電容所產(chǎn)生的尖峰將會反映在CS的檢測信號上。為了防止功率三極管Q1的誤動作，這款原邊反饋控制芯片的檢測將會在上升沿有段時間空白（LEB）。在這空白的時間內(nèi)，芯片關(guān)斷輸出。這款芯片的LEB時間約為400ns。