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FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

簡要描述:FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝


FT838MBD五星能效5V2A充電器IC

FT838MBD 10W充電器方案

五能效充電器適配器主控芯片F(xiàn)T838MBD

應(yīng)用:充電器

功率:5V/2A

產(chǎn)品型號:

所屬分類:FMD電源IC

更新時間:2024-11-29

廠商性質(zhì):代理商

詳情介紹

FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

FT838MBD五星能效5V2A充電器IC

FT838MBD 10W充電器方案

五能效充電器適配器主控芯片F(xiàn)T838MBD

應(yīng)用:充電器

功率:5V/2A

輸入電壓范圍:90~264V

輸出電壓/電流:5V/2A

尺寸:45.3*36.9mm

典型效率:79%

EMI:Pass

空載待機功耗:<120mw

zui大輸出紋波:&lt;80mvp-p

方案名稱:FT838MBD_5V/2A

產(chǎn)品優(yōu)勢:

1. 高效率>=78.7% @115V/230V

2. 低待機功耗&lt;120mw

3. 輸出紋波噪音低&lt;80mv

4. 內(nèi)置MOS,DIP8封裝,IC溫升低,外圍元件少,成本低

5. 在五星能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量。

深圳代理(索取更多方案資料技術(shù)及樣品提供)

聯(lián) 系 人 :孫蘭

地  址 : 深圳市福田區(qū)振華路47號家樂大廈四樓B3

電  話:/      

企 業(yè) 2850187696

特色概述

 電壓輸入范圍(90Vac~264Vac)

 高效率

 Efficiency &ge; 78.65% @115Vac/230Vac

 低待機功耗

 &lt; 120mW

 輸出紋波噪音低

 &lt;80mV

 輸出短路保護

 輸出過流保護

 的容性負載啟機特性

 在5 能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量

 內(nèi)置功率MOS,DIP-8 封裝,IC 溫升低;外圍元件簡潔,成本低。

 

1 簡介

FT838MBD_5V 2.0A 是款寬電壓輸入(90Vac~264Vac),具有高效率,高性價比

的充電器適配器方案。

 

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